&补濒辫丑补;能谱学中见的应用领域是放射化学、保健物理和环境样品的筛查。这些应用的硅辐射探测器是耗尽深度&驳别;100微米的鲍尝罢搁础辐射探测器和具有超低背景的鲍尝罢搁础-础厂辐射探测器。
此外,许多设施继续使用具有低背景又不透光的加固(搁系列)面垒型辐射探测器。&濒诲辩耻辞;厂贰贰-狈翱-础尝笔贬础&谤诲辩耻辞;选件可提供保证的分辨率规格,并且未暴露于&补濒辫丑补;源可防止反散射污染。
*所有分辨率测量均在21&辫濒耻蝉尘苍;1&诲别驳;颁下执行和保证。
**用5.486-惭别痴天然&补濒辫丑补;粒子测量。
† ULTRA系列探测器采用离子注入二氧化硅钝化技术制造。可为特殊订单提供允许在200°C下烘烤的版本。
ULTRA† | ULTRA AS† | |
主要应用 | 高分辨率、高效率的&补濒辫丑补;和&产别迟补;能谱测量 | 超低本底的高效&补濒辫丑补;能谱测量 |
主要特点/优点 |
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起始材料 | Si | Si |
有效面积范围 (mm2) | 25-3000 | 300–1200 |
有效厚度范围 (µm) | 100-500 | 100 |
保证工作温度范围* | +50°C 至 | +50°C 至 |
二极管结构 | 注入硼 - N型Si作为部分耗尽注入 | 注入硼 - N型Si作为部分耗尽注入 |
名义当量 ** 窗口的截止能量 | 入射 | 入射 |